TSMC, 7nm+ EUV 대량생산 들어가

  DigitTimes는 TSMC의 CEO가 7N+ 공정의 대량 생산을 시작했다고 밝혔음을 지난 금요일에 보도했습니다. 이 공정은 중요 레이어에 EUV가 사용된 첫번째 프로세스 노드이고 수율도 나쁘지 않다고 합니다.

  2월달에 DigitTimes가 3월 말에 대량 생산이 시작될 것이라고 보도했던것을 생각하면 2개월가량 지연된 것으로 보여집니다. TSMC는 7N+ 공정이 적용될 첫번째 제품이 무엇인지는 밝히지 않았지만, 화웨이의 기린 985 AP가 이 공정을 사용할 것이라는 루머가 있습니다. 이 노드는 1세대 7nm 공정에 비하여 트랜지스터 집적도가 20% 증가했고, 10% 낮은 전력소모에서 15% 높은 성능을 보여줍니다.

  TSMC의 7NM 포트폴리오에는 7N+ 노드만 있는 것이 아닙니다. 올해 안에 2세대 7nm 공정을 선보일것이고, 내년에는 6nm 공정의 위험 생산(risk production)에 들어갈 것이라 합니다.

  TSMC는 7nm 생산능력이 작년 대비 150% 높아질 것이라 전망하고 있으며, 2020년 Fab 18에서 5nm 대량 생산에 들어갈 계획을 가지고 있습니다. 이 노드는 더 많은 레이어에 EUV가 적용될 것이며 이미 장비 이송을 시작했다고 합니다. TSMC는 3nm 팹 건설을 위해 Fab 18 인근 부지를 이미 확보해두었습니다.